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J-GLOBAL ID：200903041764611652

GaN系結晶基材およびその製造方法

Inventor： 岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  宮下 啓二 ,  谷口 浩一 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293066
Publication number (International publication number)：1999130598
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 マスク層上に成長するGaN系結晶の厚みをより薄くする製造方法を提供し、それによってマスク上に形成されたGaN系結晶の薄膜を有するGaN系結晶基材を提供すること。【解決手段】 ベース基板1上に、マスク領域12と非マスク領域11とを形成するようにマスク層を設け、下記条件の下に、非マスク領域を出発点として、マスク層上を覆うまでGaN系結晶を成長させる。?@マスク層の形成パターンを、マスク領域と非マスク領域との境界線の方向が、〈1-100〉方向に伸びる直線を有するパターンとし、?AMOCVDを用い、?Bその時の雰囲気ガスを、N2リッチなガスとする。

Claim (excerpt)：

GaN系結晶がC軸を厚み方向として成長可能なベース基板面の一部または全部の領域に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層を設け、マスク層の材料をそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料とし、?@マスク層の形成パターンを、マスク領域と非マスク領域との境界線の方向が、基板上に形成されるGaN系結晶に対して〈1-100〉方向に伸びる直線を有するパターンとし、?AGaN系結晶を成長させる方法を、MOCVDとし、?B上記?AのMOCVDによってGaN系結晶を成長させるときの雰囲気ガスを、N2 リッチなガスとし、非マスク領域を出発点として、マスク層上を覆うまでGaN系結晶を成長させることを特徴とする、GaN系結晶基材の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18