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J-GLOBAL ID：200903041774970383

超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末とその製法

Inventor： 林 年治 ,  西原 明
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293931
Publication number (International publication number)：1993201731
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Aug. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末とその製法を提供する。【構成】塩化インジウムおよび塩化スズの混合水溶液とアンモニウム炭酸塩とを混合し、温度5°C〜95°C、最終pH2〜8の条件下でインジウムとスズの水酸化物を共沈させ、該沈殿を加熱分解をすることにより、組成比Sn/Inが0.005〜0.3であり、比表面積(BET値)が10m2/g以上、比抵抗が70Ωcm以下であって、不純物の塩素が0.1%以下、ナトリウムおよびカリウムが10ppm以下、遊離のインジウムおよびスズが10ppm以下である超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末(ITO粉末)を得る。【効果】上記ITO粉末は、粒径が0.08μm以下、好ましくは0.03μm以下の超微粒子であり、しかも比抵抗が70Ωcm以下、好ましくは15Ωcm以下の高導電性を有するので、この粉末を分散させた樹脂や塗料は優れた透明性および導電性を有し、変色などの経時変化のない樹脂や導電性塗膜が得られる。

Claim (excerpt)：

組成比Sn/Inが0.005〜0.3であり、比表面積(BET値)が10m2/g以上、比抵抗が70Ωcm以下であって、不純物の塩素が0.1%以下、ナトリウムおよびカリウムが10ppm以下、遊離のインジウムおよびスズが10ppm以下である超微粒低抵抗スズドープ酸化インジウム粉末。

IPC (5)：

C01G 15/00 ,  H01B 1/00 ,  H01B 1/08 ,  H01B 1/14 ,  H01B 5/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-215318
  
• 特開昭64-087519
  
• 特開平3-054114
  
• 特開昭62-007627