Pat

J-GLOBAL ID：200903041779735170

半導体レーザ装置

Inventor： 鴫原 君男 ,  藤原 正敏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993319365
Publication number (International publication number)：1995176820
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】 半導体レーザチップ1を、サブマウント3を用いてブロック4にマウントする際、ブロック4,またはサブマウント3の熱膨張係数と、半導体レーザチップ1の熱膨張係数との違いによって、該チップ1の内部にチップ端面部ではチップ中央部に比べてより大きな圧縮歪,あるいはより小さな引張歪がかかるように歪分布を生じさせ、チップ端面部のバンドギャップが、中央部のバンドギャップよりも少なくとも1meV以上大きくなるようにした。【効果】 端面破壊による光吸収のない長寿命の半導体レーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

半導体レーザチップを、ブロック,またはサブマウントにマウントしてなる半導体レーザ装置において、上記ブロック,またはサブマウントの熱膨張係数と、上記半導体レーザチップの熱膨張係数との違いにより、上記半導体レーザチップの内部に、半導体レーザチップ端面部では半導体レーザチップ中央部に比べて大きな圧縮歪,あるいは小さな引張歪が、半導体レーザチップ中央部では、半導体レーザチップ端面部に比べて小さな圧縮歪,あるいは大きな引張歪が生ずるように歪分布が生じており、上記半導体レーザチップ端面部のバンドギャップが、上記半導体レーザチップ中央部のバンドギャップよりも、所定値以上大きくなっていることを特徴とする半導体レーザ装置。