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J-GLOBAL ID：200903041785228344

半導体素子の製造方法

Inventor： 高橋 勝徳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991213354
Publication number (International publication number)：1993055134
Application date： Aug. 26, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大口径ウエハにフォトレジストなどの薬剤を均一性よく塗布できる半導体素子の製造方法を得ることを目的とする。【構成】 薬剤吐出口18a 〜18c を有するノズル17a 〜17c を設け、このノズル17a 〜17c を介してウエハ1にフォトレジスト12を同時にまたは順次滴下させてウエハ1を高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ1の全面に回転塗布する。【効果】 ウエハ1の複数点にフォトレジスト12を同時に滴下できるので、塗布むらのないウエハ1が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、複数の吐出口より薬剤を同時にまたは順次滴下し、前記半導体基板を回転させることにより、前記薬剤を前記半導体基板の全面に塗布することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502 ,  B05C 11/08