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J-GLOBAL ID：200903041790810736

熱電半導体素子

Inventor： 横谷 洋一郎 ,  釘宮 公一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992015888
Publication number (International publication number)：1993218511
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 少なくともストロンチウム酸化物とチタン酸化物、またはストロンチウム酸化物、バリウム酸化物とチタン酸化物を構成成分とすることにより、安全性が高く、安価でもあり、また熱電半導体素子としての性能が優れ特性的に安定で工業的に有用な熱電半導体素子を提供する。【構成】 炭酸ストロンチウムと酸化チタン、または炭酸ストロンチウム、炭酸バリウムと酸化チタンをセラミック焼成法により焼成し、セラミックよりなる熱電半導体素子を形成する。毒性元素を用いないので、安全性が高く、特に電子冷却用電子部品などに有用である。

Claim (excerpt)：

酸化物半導体を用いた熱電半導体素子において、酸化物半導体がストロンチウム酸化物とチタン酸化物を少なくとも構成成分とする複合酸化物よりなり、複合酸化物組成におけるSrに対するTiのモル比をaとしたとき、1.005≦a≦1.120の範囲内にあり、かつ素子酸化物半導体が酸素中で完全に高温酸化した後の重量に対する酸素欠損量を重量%で表わした値をbとするとき、0.06≦b≦0.55の範囲内にあることを特徴とする熱電半導体素子。

IPC (3)：

H01L 35/14 ,  C01G 23/00 ,  C04B 35/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-106104
  
• 特開昭58-131224