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J-GLOBAL ID：200903041804989700
ハイブリッド集積回路装置の構造
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 暁夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993180128
Publication number (International publication number)：1995038240
Application date： Jul. 21, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 絶縁合成樹脂基板2内に、複数個の電子部品3,4を埋設して成るハイブリッド集積回路装置において、その大型化及び重量の増大、並びに価格のアップを招来することなく、各電子部品から外部に電磁波が放射されること、及び各電子部品に外部からの電磁波が到来することを防止すると共に、各電子部品の相互間における電磁波による影響をも防止する。【構成】 絶縁合成樹脂基板2中に、フエライト等の磁性体材料の粉末2aを混合する。
Claim (excerpt)：
絶縁合成樹脂基板内に、複数個の電子部品を、当該各電子部品における接続用端子の一部が前記絶縁合成樹脂基板における表裏両面のうち少なくとも一方の表面に露出するように埋設する一方、前記絶縁合成樹脂基板における一方の表面に、前記各電子部品の相互間を電気的に接続する電気回路パターンを形成して成るハイブリッド集積回路装置において、前記絶縁合成樹脂基板中にフエライト等の磁性体材料の粉末を混合したことを特徴とするハイブリッド集積回路装置の構造。
IPC (6)：
H05K 3/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/50
, H05K 1/11
, H05K 1/18
