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J-GLOBAL ID：200903041813678245
化合物半導体薄膜の成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992170604
Publication number (International publication number)：1994013328
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、化合物半導体薄膜の成長方法に関し、シリコン基板上に3-5族化合物半導体薄膜を成長する際、結晶性及び表面モホロジーに十分優れた膜質の3-5族化合物半導体薄膜を得ることができる化合物半導体薄膜の成長方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板上に3-5族化合物半導体薄膜を成長する方法において、該シリコン基板を高温熱処理して表面処理した後、該シリコン基板を150°C以上400°C以下の低温まで降温し、降温し終わったと同時に該シリコン基板表面に5族源ガスを導入することにより、該シリコン基板上に第1の3-5族化合物半導体薄膜を成長し、次いで、該5族源ガスをそのまま導入した状態あるいは該5族源ガスを別の5族源ガスに切り換えた状態で該第1の3-5族化合物半導体薄膜を成長した温度よりも昇温して更に該第1の3-5族化合物半導体薄膜上に第2の3-5族化合物半導体薄膜を成長するように構成する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に3-5族化合物半導体薄膜を成長する方法において、該シリコン基板を第1の温度で熱処理して、表面処理する工程と、該シリコン基板を150°C以上400°C以下の第2の温度まで降温した後、該シリコン基板表面への5族源ガスの供給を開始する工程と、該シリコン基板上に第1の3-5族化合物半導体薄膜を成長する工程と、該第2の温度よりも高い第3の温度にて該第1の3-5族化合物半導体薄膜上に第2の3-5族化合物半導体薄膜を成長することを特徴とする化合物半導体薄膜の成長方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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