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J-GLOBAL ID：200903041818883599

カーボンナノチューブ又はナノファイバーを用いたSiC/SiC複合材料の高熱伝導化

Inventor：
田口 富嗣

About 田口 富嗣

, 
社本 真一

About 社本 真一

, 
井川 直樹

About 井川 直樹

, 
實川 資朗

About 實川 資朗


Applicant, Patent owner：
独立行政法人 日本原子力研究開発機構

About 独立行政法人 日本原子力研究開発機構


Agent (11)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩 ,  神田 藤博 ,  田中 英夫 ,  細川 伸哉 ,  深澤 憲広 ,  平山 晃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005201424
Publication number (International publication number)：2007015901
Application date： Jul. 11, 2005
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：
【課題】 本発明の目的は、使用環境下における熱流の進行方向に対して垂直な面内のSiC繊維の体積含有率を殆ど低下させることなく、熱伝導率を向上させたSiC/SiC複合材料を製造するための方法を提供することにある。【解決手段】 カーボンナノチューブ又はナノファイバーをSiC/SiC複合材料のマトリクス中に均一に分散させることを特徴とする、熱伝導率を向上させたSiC/SiC複合材料を製造するための方法。該方法においては、SiC/SiC複合材料の使用環境下における熱流の進行方向に対して垂直な面内のSiC繊維の体積含有率を殆ど低下させることなく、熱伝導率を向上させることを特徴とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
カーボンナノチューブ又はナノファイバーをSiC/SiC複合材料のマトリクス中に均一に分散させることを特徴とする、熱伝導率を向上させたSiC/SiC複合材料を製造するための方法。
IPC (2)：
C04B 35/80 ,  C04B 35/84
FI (2)：
C04B35/80 C ,  C04B35/84
F-Term (3)：
4G146AA11 ,  4G146AD17 ,  4G146AD20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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