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J-GLOBAL ID：200903041822812337
バンプ形成方法及び半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995223351
Publication number (International publication number)：1997069539
Application date： Aug. 31, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 バンプ形成方法及び半導体装置に関し、バンプを低コストで形成するとともにバンプを用いた半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 基板1に設けられた電極パッド3上に第1のバンプ8を形成する工程と、該基板1上を絶縁膜9で被う工程と、該第1のバンプの表面を露出させ、該絶縁膜と該第1のバンプとを平坦化する工程と、露出した第1のバンプ8の表面に第2のバンプ10を形成する工程を有するように構成する。
Claim (excerpt)：
基板に設けられた電極パッド上に第1のバンプを形成する工程と、該基板上を絶縁膜で被う工程と、該第1のバンプの表面を露出させ、該絶縁膜と該第1のバンプとを平坦化する工程と、露出した第1のバンプの表面に第2のバンプを形成する工程を有することを特徴とするバンプ形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 602 L
Cited by examiner (6)
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