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J-GLOBAL ID：200903041826456365

電界可変型偏光光素子

Inventor： エミリオ・ユージニオ・メンデス ,  ドヨル・アン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327697
Publication number (International publication number)：1993218580
Application date： Dec. 11, 1991
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、データ通信装置に関して特に有用で、且つ高感度偏光光検出器との組合せにおいてオプティカル・デジタル応用に非常に有用である、偏光をTMモードとTEモードに高速に切換える光素子を提供する。【構成】電極(22)によって量子井戸層(16)に垂直に外部から印加された電界によってTEモードとTMモードに切換え可能な偏光を有する歪み層の量子井戸(QW)又は多重量子井戸(MQW)を持った半導体レーザ・デバイス(10)である。偏光の切換えは、歪み層の量子井戸に印加された電界によって誘導された価電子バンドの反転による結果である。切換中は反転分布が保持されるため、高速切換えが実現できる。

Claim (excerpt)：

第1半導体材料と第2半導体材料を有し、上記第2半導体材料の格子定数が、量子井戸領域内で生じた電磁放射がTM偏光を有するように量子井戸領域を歪ませるのに十分な量だけ上記第1半導体材料の格子定数と差がある、量子井戸領域と、電界が量子井戸領域全体に印加中、上記量子井戸領域内で生じた電磁放射がTE偏光を有する闘値を越える大きさの上記電界を、量子井戸領域全体に印加する手段、とを有する半導体光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/103