電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法

Inventor： , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：長谷川芳樹 , 山田行一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004503689
Publication number (International publication number)：2005524983
Application date： May. 08, 2003
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

基板上に低誘電率膜を堆積させる方法。本方法には、ケイ素、炭素、酸素、水素を含んでいる低誘電率膜を化学気相堆積チャンバ内で堆積させるステップが含まれている。本方法には、更に、低誘電率膜を低誘電率膜の硬度を上げるのに十分な条件で電子ビームに晒すステップが含まれている。

Claim (excerpt)：

低誘電率膜を基板上に堆積させる方法であって、ケイ素、炭素、酸素、水素を含んでいる低誘電率膜を化学気相堆積チャンバ内で堆積させるステップと、該低誘電率膜を該低誘電率膜の硬度を上げるのに十分な条件で電子ビームに晒すステップと、を含む、前記方法。

IPC (4)：

H01L21/316 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/768

FI (4)：

H01L21/316 P , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/90 J

F-Term (37)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 5F033QQ54 , 5F033QQ81 , 5F033RR01 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033WW08 , 5F033WW09 , 5F033XX24 , 5F058AC03 , 5F058AF01 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭59-124729
マイクロエレクトロニクス構造体用電子ビーム加工膜
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-503125 Applicant：アライドシグナル・インコーポレーテッド
CVD蒸着膜の電子ビーム改質による低誘電率材料の形成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-560432 Applicant：エレクトロンビジョンコーポレーション

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