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J-GLOBAL ID：200903041844922357

半導体レーザ

Inventor： 横関 弥樹博 ,  岩見 正之 ,  石井 宏辰
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002364839
Publication number (International publication number)：2004200276
Application date： Dec. 17, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】GaAs基板をベースとした短波長系の埋込型半導体レーザであって低しきい値、安定した横モードの閉じ込めを実現し、かつ、ブロッキング層を再成長した場合に結晶欠陥が発生しにくく、また、CODも起きにくい信頼性の高いものを実現する。【解決手段】GaAs基板を用いた短波長系の埋込型半導体レーザの活性層11を構成する導波層の半導体材料に第一導電型クラッド層6および第二導電型クラッド層2を構成する半導体材料よりも酸化されにくい材料を用い、メサ7の底部を活性層11よりも低い位置に構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第一導電型クラッド層、少なくとも一つの井戸層及び導波層を含む活性層が順次形成された積層構造を有し、少なくとも前記積層構造はメサを形成し、かつ、前記メサの両側方を第二導電型の電流ブロッキング層及び第一導電型電流ブロッキング層で順次埋め込み、前記活性層に含まれる前記導波層の半導体材料に前記第一導電型クラッド層を構成する半導体材料よりも酸化されにくい材料を用いており、前記メサの底部が前記活性層よりも低い位置に構成され、前記半導体基板がGaAsであることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (1)：

H01S5/227

FI (1)：

H01S5/227

F-Term (9)：

5F073AA22 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23