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J-GLOBAL ID：200903041847725358
半導体ウェーハ処理剤
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993328545
Publication number (International publication number)：1995183288
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 シリコン表面の濡れ性を維持しつつ、発泡性を抑えて表面処理後ウェーハ表面に付着して残存するパーティクルの数を低下させる半導体ウェーハ処理剤を提供することを目的とする【構成】 酸性または塩基性溶液からなるエッチャント、界面活性剤およびアルコールを含んでなることを特徴とする半導体ウェーハ処理剤。
Claim (excerpt)：
酸性または塩基性溶液からなるエッチャント、界面活性剤およびアルコールを含んでなることを特徴とする、半導体ウェーハ処理剤。
IPC (3)：
H01L 21/308
, H01L 21/304 341
, C23F 1/00 103
