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J-GLOBAL ID：200903041857761239

疎水性スルホニウム塩

Inventor： 岩田 在博 ,  松永 智徳
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002372836
Publication number (International publication number)：2004203763
Application date： Dec. 24, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ、色素増感型太陽電池などの水分の混入が好ましくない電気化学デバイスの電解質等として使用可能な、疎水性が高く、かつ低粘度、高イオン伝導性の常温溶融塩を得る。【解決手段】下記一般式(1)R1R2R3S+・Y- (I)(R1、R2、R3は各々独立に、炭素数7〜20の1価の有機基、Y-はファンデルワールス体積100Å3以上のアニオンである。)で示されるスルホニウム塩を用いる。R1〜R3としては炭素数8〜16のアルキル基であることが特に好ましい。また、Y-としては、下記一般式(II)(R4-CO-)n(R5-SO2-)2-nN- (II)(R4,R5はいずれも、フッ素で置換された炭素数1〜10の炭化水素基を示し、nは0、1又は2である。)で示されるイミドアニオンを採用することにより、高い耐酸化性が得られる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(I) R1R2R3S+・Y- (I) (R1、R2、R3は各々独立に、炭素数7〜20の1価の有機基、Y-はファンデルワールス体積100Å3以上のアニオンである。) で示されるスルホニウム塩。

IPC (8)：

C07C381/12 ,  C07C235/06 ,  C07C311/09 ,  C07C311/51 ,  H01G9/038 ,  H01M6/16 ,  H01M10/40 ,  H01M14/00

FI (8)：

C07C381/12 ,  C07C235/06 ,  C07C311/09 ,  C07C311/51 ,  H01M6/16 A ,  H01M10/40 A ,  H01M14/00 P ,  H01G9/00 301D

F-Term (19)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BV00 ,  5H024DD17 ,  5H024EE02 ,  5H024HH02 ,  5H029AJ06 ,  5H029AM07 ,  5H029DJ09 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ07 ,  5H032AA06 ,  5H032CC16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE20 ,  5H032HH04