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J-GLOBAL ID：200903041862312981

太陽電池

Inventor： 久松 正
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 藤本 博光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156145
Publication number (International publication number)：1996023111
Application date： Jul. 07, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 表面酸化膜下の界面準位への電子の注入をなくし、セルの変換効率を改善した太陽電池を提供する。【構成】 p型Si基板1の受光面となる表面にn型領域2及び2aと酸化膜6とを形成した太陽電池において、セル端面周辺のn型領域2aのキャリア濃度が、セル内部の主接合を形成するn+型領域2のキャリア濃度より低いことを特徴とする太陽電池。

Claim (excerpt)：

p型シリコン(Si)基板の受光面となる表面にn型領域と酸化膜とを形成した太陽電池において、セル端面周辺のn型領域のキャリア濃度が、セル内部の主接合を形成するn+型領域のキャリア濃度より低いことを特徴とする太陽電池。