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J-GLOBAL ID：200903041887551220

半導体材料およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  張 宏勇 ,  楠本 直人 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991080800
Publication number (International publication number)：1995022311
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、信頼性、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜状に形成される半導体材料を提供することを目的とする。【構成】 レーザーアニールによって溶融過程を経ずしてアモルファス半導体を改質して作製された、酸素、窒素、炭素の濃度が、いずれも5×1019cm-3以下、望ましくは1×1019cm-3以下である半導体材料。

Claim (excerpt)：

炭素、窒素、および酸素の濃度がいずれも5×1019cm-3以下、好ましくは1×1019cm-3以下であるアモルファス珪素膜をレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射して、溶融させることなく秩序化せしめることによって得られたことを特徴とする半導体材料。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/04 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-226718