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J-GLOBAL ID：200903041901760318

パターン形成方法及びその露光装置

Inventor： 福田 宏 ,  田中 稔彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994008136
Publication number (International publication number)：1995220990
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【構成】マスクパターン3を反射型レンズ7により基板5上へ結像させ、基板5の表面と反射型レンズ7の間を含む露光光学系の光路の全体又は一部を、露光波長における屈折率が1より大きな液体で満たす。【効果】簡便に実効的に短波長化したのと同等の解像力向上効果を得ることができ、光リソグラフィの解像限界を30%程度向上し、0.15μm 以下のパターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

光源を発した光を照明光学系を介してマスクに照射し、上記マスク上のパターンを投影光学系により基板上へ結像させることにより上記基板上にパターンを形成する方法において、上記投影光学系を反射型レンズを含む光学系により構成し、少なくとも上記基板と上記投影光学系の間を含む上記投影光学系の光路の全体又は一部を、上記光の波長における空気に対する比屈折率が1より大きな媒質で満たすことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 518 ,  H01L 21/30 515 D