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J-GLOBAL ID：200903041915021046

炭化珪素成形体の脱脂方法、多孔質炭化珪素焼結体の製造方法

Inventor： 西城 貴満 ,  栗林 宏次
Applicant, Patent owner： イビデン株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000195870
Publication number (International publication number)：2002020173
Application date： Jun. 29, 2000
Publication date： Jan. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 生産性の低下や引火といった不具合を伴うことなく、最終的に品質及び強度に優れた多孔質炭化珪素焼結体を得ることができる炭化珪素成形体の脱脂方法を提供すること。【解決手段】 本発明の脱脂方法では、炭化珪素成形体M1を、酸素濃度が1%〜20%の雰囲気下にて、炭化珪素成形体M1中のバインダが分解しうる温度に加熱する。

Claim (excerpt)：

炭化珪素成形体を、酸素濃度が1%〜20%の雰囲気下にて、前記炭化珪素成形体中のバインダが分解しうる温度に加熱することを特徴とする炭化珪素成形体の脱脂方法。

IPC (3)：

C04B 35/638 ,  B01D 39/20 ,  C04B 35/565

FI (3)：

B01D 39/20 D ,  C04B 35/64 301 ,  C04B 35/56 101 N

F-Term (12)：

4D019AA01 ,  4D019BA05 ,  4D019BB06 ,  4D019BD01 ,  4D019CA01 ,  4D019CB06 ,  4G001BA22 ,  4G001BA73 ,  4G001BB22 ,  4G001BC34 ,  4G001BC54 ,  4G001BD36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高強度多孔質α-SiC焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-332167   Applicant：イビデン株式会社
• 特開平4-031372