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J-GLOBAL ID：200903041925752308

半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法

Inventor： 杉田 吉隆
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993176153
Publication number (International publication number)：1995014899
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 スタンバイ電流不良のある半導体装置において、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡を用いて調査し、微小リーク電流が流れていたり、広い範囲で電流が流れていたりするスタンバイ電流不良の故障メカニズムを正確に把握できる。【構成】 スタンバイ電流不良のある半導体装置において、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡にて調査し、プロッタ図により発光している回路の構成を解読する。さらに、故障箇所の推定を行い、SEM,FIBを用いて故障箇所を観察してこの不良半導体装置の故障メカニズムを解析するものである。

Claim (excerpt)：

スタンバイ電流不良箇所の調査をエミッション顕微鏡を用いて行うことを特徴とする半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法。