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J-GLOBAL ID：200903041936510470

化学的に増幅されたレジスト

Inventor： クラウス エリアン ,  ライナー ロイシュナー ,  エワルト ギュンター
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998129514
Publication number (International publication number)：1998301286
Application date： Apr. 22, 1998
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 化学的に増幅されたレジストとして、露光又は電子ビーム照射との熱処理との時間間隔の問題を付加的処理工程又は経費をかけずに製造技術上受容可能の水準に高め、しかも高解像を可能としかつ高感度を有する液相からのシリル化を可能にするレジストを提供する。【解決手段】 カルボン酸無水物及び第3ブチルエステル基、第3ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロピラニル基を有するポリマー、露光又は電子ビーム照射の際にpKa値>0.5を有するスルホン酸を遊離する光反応性化合物、スルホン酸と可逆適に化学反応可能の化合物、及び溶媒を含む化学的に増幅されたレジストを形成する。

Claim (excerpt)：

カルボン酸無水物基及び第3ブチルエステル基、第3ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロピラニル基を有するポリマー、露光又は電子ビーム照射の際にpKa値>0.5を有するスルホン酸を遊離する光反応性化合物(造酸物)、スルホン酸と可逆的に化学反応可能の化合物(バッファ化合物)及び溶媒を含む化学的に増幅されたレジスト。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503

FI (2)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A