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J-GLOBAL ID:200903041959404520
セラミツクス配線基板及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
足立 勉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991238054
Publication number (International publication number):1993074979
Application date: Sep. 18, 1991
Publication date: Mar. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 簡単な製造工程によって、基板表面に耐熱性に優れた平滑なコーティング層を形成できるとともに、ビアホール等の導通を十分に確保できるセラミックス配線基板及びその製造方法を提供すること。【構成】 セラミックス基板2に設けられたビアホール3の表面に、Niメッキ層6を備えるとともに、このNiメッキ層6の以外のセラミックス基板2の表面には、SiO2及びAl2O3からなるコーティング層4が形成されている。
Claim (excerpt):
セラミックス基板に設けられたビアホールが基板表面に露出した表面導電層を備えるとともに、該表面導電層以外の前記セラミックス基板の表面に無機材料からなるコーティング層を備えたことを特徴とするセラミックス配線基板。
IPC (4):
H01L 23/15
, H01L 23/12
, H05K 3/28
, H05K 3/46
FI (2):
H01L 23/14 C
, H01L 23/12 D
Patent cited by the Patent:
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