Pat
J-GLOBAL ID：200903041964976620
セラミツク回路基板の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991310865
Publication number (International publication number)：1993152739
Application date： Nov. 26, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 銅膜密着性や電気的特性が十分なセラミック回路基板を容易に製造することが出来る方法を提供する。【構成】 真空下で、セラミック基板3の表面に対しイオンボンバードによるイオンエッチングを行った後、PVD法により銅膜を蒸着形成するようにするセラミック回路基板の製造方法において、前記イオンボンバードを数十〜数百eVのエネルギーで行うようにすることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
Claim (excerpt)：
真空下で、セラミック基板の表面に対しイオンボンバードによるイオンエッチングを行った後、PVD法により銅膜を蒸着形成するようにするセラミック回路基板の製造方法において、前記イオンボンバードを数十〜数百eVのエネルギーで行うようにすることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
IPC (4)：
H05K 3/38
, C04B 41/91
, C04B 41/88
, H05K 3/14
