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J-GLOBAL ID：200903041976579414

半導体キャビティ充填法

Inventor： ロバート エィチ.ヘイブマン ,  ギリシュ エイ.ディクシット
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995323353
Publication number (International publication number)：1996264652
Application date： Dec. 12, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】 集積回路中に形成されるサブ0.5ミクロン寸法の開口部(ビアやトレンチ)を充填するための方法を得る。【解決手段】 半導体母体中に形成された開口部の開放端を覆って金属を堆積させ、前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に加熱し、前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に保持したまま、前記金属に対して圧力を加えて前記金属を変形させ、前記金属を前記開口部中へ押し込むことによって前記開口部を前記金属で以て本質的に充填する。

Claim (excerpt)：

半導体開口部を充填するための方法であって、半導体母体であって、表面を有し、更に前記表面から遠ざかるように前記母体中へ少なくとも部分的に延びて、1つの開放端を有する少なくとも1個の開口部を有する半導体母体を用意すること、前記開口部の開放端へ金属を供給すること、前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に加熱すること、および前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に保持しながら、前記金属に対して圧力を加えて前記金属を変形させ、前記金属を前記開口部中へ方向付けて前記開口部を前記金属で以て本質的に充填すること、を含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R