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J-GLOBAL ID：200903041988349759

有機エレクトロルミネッセンス素子用ドープ材料及び有 機エレクトロルミネッセンス素子

Inventor： 高橋 尚光 ,  鶴岡 誠久 ,  田中 哲 ,  宮内 寿男
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996228769
Publication number (International publication number)：1998067984
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】融点が高く熱的に安定しており、ドープした場合に薄膜である有機発光層の安定性が向上する有機EL素子用ドープ材料を提供する。【解決手段】有機EL素子1は、ガラス製の基板3と、透明なITO のアノード2と、TPD の正孔注入輸送層4と、発光層5と、Mgのカソード6からなる。発光層5は、SABF骨格を持つ配位子を有する金属キレート錯体としてのAl2O(SABF)2 をドープ材料とし、これをAlq3に1mol%ドーピングしたものである。アノード2に+、カソード6に-の直流電圧をかける。発光層5は15Vで最大16400cd/m2の黄色のEL発光を示した。外部量子効率は0.1891m/W であった。前記有機EL素子の発光層は熱に対して安定で劣化しにくい。

Claim (excerpt)：

N,N’-Bissalicylidene-2,3-diaminobenzofuran(SABF)骨格を持つ配位子を有する金属キレート錯体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用ドープ材料。