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J-GLOBAL ID：200903041988955764

プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 井上 雅司
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 飯塚 雄二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997137512
Publication number (International publication number)：1998312900
Application date： May. 13, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 試料に対してダメージを与えることなく均一なプラズマ処理を行うこと。【解決手段】 試料(10)と真空容器(12,14)の内壁との間に所定の磁界を形成して、真空容器(12,14)の内壁側へのプラズマの拡散を抑制する。また、プラズマの進行方向に対する試料(10)の後方に、高透磁率領域を形成する。

Claim (excerpt)：

真空容器内に配置された試料に対してプラズマを照射することによって所定の処理を施すプラズマ処理方法において、前記真空容器の内壁側へのプラズマの拡散を抑制すべく前記試料と前記真空容器の内壁との間に所定の磁界を形成するとともに、前記プラズマの進行方向に対する前記試料の後方に、高透磁率領域を形成することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/10

FI (7)：

H05H 1/46 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/10 ,  H01L 21/302 B