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J-GLOBAL ID：200903041994188589
半導体加速度センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209581
Publication number (International publication number)：1998048246
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】小型かつ高感度の容量式が速度センサを実現する。【解決手段】カンチレバーやブリッジ等の可動電極の質量体を高密度の金属シリサイド層で形成する。
Claim (excerpt)：
シリコン半導体基板上に形成された加速度を検出するための容量式センサにおいて、少なくとも一つの固定電極と、前記固定電極に対面し受けた加速度に応答して移動可能な可動電極とよりなるコンデンサとを備え、前記可動電極の質量体は金属シリサイドを主体とする層により形成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
FI (2)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
