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J-GLOBAL ID:200903041996149254

耐還元性正特性サーミスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 敬一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996257931
Publication number (International publication number):1998101414
Application date: Sep. 30, 1996
Publication date: Apr. 21, 1998
Summary:
【要約】【課題】 還元性雰囲気下でも特性劣化の少ない耐還元性を有しかつ比抵抗が十分小さい正特性サーミスタを提供する。【解決手段】 本発明による耐還元性正特性サーミスタでは、主成分が(Ba1-x-yPbxCay)zTiO3(ただし0.02≦x≦0.15、0.05≦y≦0.15、0.92≦z≦1.00、好適には0.98≦z≦1.00)で表される化学組成を有する。また、主成分100mol%に対してマンガン化合物(MnX)0.05〜0.15mol%、半導体化剤の酸化物0.1〜0.3mol%、二酸化珪素(SiO2)2〜5mol%、酸化アルミニウム(Al2O3)0.05〜1.0mol%が副成分として添加される。半導体化剤は3価の希土類元素の酸化物又は5価の遷移元素の酸化物から選択された1種又は2種以上である。
Claim (excerpt):
主成分が(Ba1-x-yPbxCay)zTiO3(ただし0.02≦x≦0.15、0.05≦y≦0.15、0.92≦z≦1.00)で表される化学組成を有し、主成分100mol%に対してマンガン化合物(MnX)0.05〜0.15mol%、半導体化剤の酸化物0.1〜0.3mol%、二酸化珪素(SiO2)2〜5mol%、酸化アルミニウム(Al2O3)0.05〜1.0mol%が副成分として添加され、半導体化剤が3価の希土類元素の酸化物又は5価の遷移元素の酸化物から選択された1種又は2種以上であることを特徴とする耐還元性正特性サーミスタ。
IPC (2):
C04B 35/46 ,  H01C 7/02
FI (2):
C04B 35/46 N ,  H01C 7/02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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