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J-GLOBAL ID：200903041997875137

発光ダイオード

Inventor： 後藤 広将 ,  今井 秀秋
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992224110
Publication number (International publication number)：1994077537
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【構成】 透明絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組合せからなる発光層を少なくも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレ-ナ構造の素子チップにおいて、一つの電極がリ-ド部材と直接に接続され、かつ他の少なくとも一つの電極が他のリ-ド部材とワイヤ-により接続されている発光ダイオ-ド【効果】 電極間の接触を少なく、安定した高性能のLEDを得ることが可能になる。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組合せからなる発光層を少なくとも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレーナ構造の素子チップにおいて、一つの電極がリード部材と直接に接続され、かつ他の少なくとも一つの電極が他のリ-ド部材とワイヤ-により接続されていることを特徴とする発光ダイオード。