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J-GLOBAL ID:200903042010777305
半導体センサ及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001292738
Publication number (International publication number):2003098025
Application date: Sep. 26, 2001
Publication date: Apr. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 120°C以上の高温環境下にあっても漏れ電流がほとんど発生することがなく、ピエゾ抵抗素子の深さ方向に対する不純物濃度の調整が容易な、高感度な半導体センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に形成した酸化膜を、ピエゾ抵抗素子を形成する部分を残して除去した後、所望の不純物濃度のn型あるいはp型のエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上以外の部分には単結晶シリコンを、前記酸化膜上には多結晶シリコンを各々成長させ、この酸化膜上に形成された多結晶シリコンを除去した状態で、酸化膜上以外の部分から成長した単結晶シリコンが前記酸化膜上を覆い所望の厚さになるまでエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上に所望の不純物濃度の単結晶シリコンを形成し、この単結晶シリコンをピエゾ抵抗素子とすることにより半導体センサを構成する。
Claim (excerpt):
シリコン基板に形成した起歪部にピエゾ抵抗素子を配置した半導体センサにおいて、シリコン基板上に酸化膜を形成し、この酸化膜をピエゾ抵抗素子を形成する部分を残して除去した後、所望の不純物濃度のn型あるいはp型のエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上以外の部分には単結晶シリコンを、前記酸化膜上には多結晶シリコンを各々成長させ、この酸化膜上に形成された多結晶シリコンを除去した状態で、酸化膜上以外の部分から成長した単結晶シリコンが前記酸化膜上を覆い所望の厚さになるまでエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上に所望の不純物濃度の単結晶シリコンを形成し、酸化膜上以外の部分に成長した単結晶シリコンを除去した後、前記酸化膜上に形成された単結晶シリコンを絶縁膜で覆うことにより、この単結晶シリコンをピエゾ抵抗素子としたことを特徴とする半導体センサ。
IPC (3):
G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, H01L 29/84
FI (3):
G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, H01L 29/84 B
F-Term (24):
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF01
, 2F055FF38
, 2F055GG01
, 4M112AA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA09
, 4M112CA11
, 4M112CA13
, 4M112DA02
, 4M112DA06
, 4M112DA07
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112FA01
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