Pat
J-GLOBAL ID：200903042027690866
R-TM-B磁石の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272677
Publication number (International publication number)：1994124814
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 めっき膜のピンホールの最底部にまでクロメート被膜を形成し耐食性を向上させる。【構成】 R(ここでRは、Yを含む希土類元素の1種又は2種以上)、TM(ここでTMは、遷移金属元素の1種又は2種以上)、B(硼素)からなるR-TM-B系永久磁石の表面にめっき層、クロム酸塩被膜層が順次積層されたR-TM-B磁石の製造方法において、クロム酸塩被膜層形成時に超音波振動を付与する。
Claim (excerpt)：
R(ここでRは、Yを含む希土類元素の1種又は2種以上)、TM(ここでTMは、遷移金属元素の1種又は2種以上)、B(硼素)からなるR-TM-B系永久磁石の表面にめっき層、クロム酸塩被膜層が順次積層されたR-TM-B磁石の製造方法において、クロム酸塩被膜層形成時に超音波振動を付与することを特徴とするR-TM-B系永久磁石の製造方法。
IPC (3)：
H01F 1/053
, C22C 38/00 303
, H01F 1/08
