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J-GLOBAL ID：200903042029620474

半導体圧力センサ

Inventor： 島岡 敬一 ,  田畑 修 ,  杉山 進
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321070
Publication number (International publication number)：1993126661
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 可動ダイヤフラムを段差のないフラットな形状とすることにより、良好な特性を有する半導体圧力センサを得ること。【構成】 絶縁性ダイヤフラム膜48上には、n型の半導体膜50が被覆形成されている。この多結晶シリコン膜50の歪ゲージ51となるべき箇所に、ボロン等の不純物をイオン注入あるいは熱拡散する。これにより、この部分がp型半導体領域となり、歪ゲージ51として機能する。そして、ボロンを添加しない領域は歪ゲージ分離部52として機能する。このように、前記歪ゲージ51は、前記ダイヤフラム膜48の受圧領域内にフラットに形成され、この結果、可動ダイヤフラム100は段差のないフラットな形状となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面側に圧力基準室を設け、この圧力基準室の開口部を覆うよう、前記半導体基板の主表面側に絶縁性ダイアフラム膜をダイヤフラム固定部を介して被覆形成した半導体圧力センサにおいて、前記絶縁性ダイアフラム膜の受圧領域所定位置に配置された少なくとも1個の第1導電型歪みゲージと、前記歪みゲージの周囲を覆う第2導電型の歪みゲージ分離部とを含む半導体膜を、前記絶縁性ダイアフラム膜上に被覆形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。