Pat

J-GLOBAL ID：200903042035670769

半導体装置

Inventor： アドリアヌス ウィレム ルディクフイゼ
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 沢田 雅男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993141573
Publication number (International publication number)：1994204482
Application date： May. 20, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 スイッチオンされている時のオン抵抗が全く又は実質上全く増大を示さない縦型DMOST(LDMOST)を提供する。【構成】 ゾーンを形成するバックゲート領域(5)とこのバックゲート領域(5)に最も近接している第一ブレークダウン電圧上昇ゾーン(9A)との内の少なくとも1個のゾーンには、他のゾーンに向かって突起している少なくとも1個の部分(35,36)が設けられていて、その突起部分の領域でこのゾーンと他のゾーンとの間の距離がこのゾーンの隣接部分に於けるそれよりも小さくなる。バックゲート領域(5)と第一ブレークダウン電圧上昇ゾーン(9A)との間の電荷転送をこの突起部分(35,36)を介して発生させる事が出来、これによってより高速なスイッチングを可能とする。

Claim (excerpt)：

縦型DMOST(LDMOST)を有するRESURF型の半導体装置であって、実質上第一導電型の半導体基体と、表面に隣接し、前記第一導電型とは逆の第二導電型でかつ前記表面から離れた側で前記半導体基体とpn接合を形成している表面ゾーンとを有し、このLDMOSTが、前記表面領域内に設けられている前記第一導電型の表面ゾーンの形態のバックゲート領域と、前記バックゲート領域内の第二導電型の表面ゾーンの形態のソース領域と、前記ソース領域と前記バックゲート領域の端との間に規定されるチャンネル領域と、前記バックゲート領域から一定距離にある第二導電型の表面ゾーンの形態のドレイン領域とを有していて、前記第一導電型の複数のブレークダウン電圧上昇ゾーンが前記バックゲートと前記ドレイン領域との間の前記表面に隣接するように設けられている、LDMOSTを有するRESURF型の半導体装置において、ゾーンを形成する前記バックゲート領と前記バックゲート領域に最も近接している前記第一ブレークダウン電圧上昇ゾーンとの少なくとも1個のゾーンに、他のゾーンに向かって突起している少なくとも1個の部分が設けられていて、その突起部分の領域でこのゾーンと他のゾーンとの間の距離がこのゾーンの隣接部分においてよりもより小さいことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 W