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J-GLOBAL ID：200903042036030720

半導体装置の製造方法

Inventor： 西村 浩
Applicant, Patent owner： 九州日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992075017
Publication number (International publication number)：1993283450
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】ICのダイシング,ダイボンディング時のシリコン微粒子,および塵埃等の付着を防ぎ、品質を向上させるため。【構成】IC表面に、接着材を施した保護シートを貼り付ける。【効果】ICのダイシング,ダイボンディング時の歩留り向上,および品質向上。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成されたウエハーをダイシングによりチップ化し、前記チップをパッケージにダイボンディングして半導体装置を製造する方法において、前記ウエハーの表面に熱収縮性保護シートを貼り付ける工程と、前記保護シートが付着したウエハーを保護シートごとダイシングする工程と、ダイシングにより得られた保護シート付チップをパッケージにダイボンディングする工程と、ダイボンディングされた前記チップを加熱して前記保護シートを前記チップ表面から除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/78