半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994040523
Publication number (International publication number)：1995231098
Application date： Feb. 15, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】 400〜620°C、好ましくは、520〜620°C、より好ましくは、550〜600°Cで、1〜12時間熱アニールすることによって結晶化度0.1〜99.9%、好ましくは、1〜99%の低度に結晶化させた珪素膜に紫外線レーザーを照射することによって、短時間で珪素膜の結晶性を向上させ、均一な結晶性珪素膜を得る。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に非単結晶珪素膜を形成する第1の工程と、前記非単結晶珪素膜を400〜620°Cで加熱アニールすることによって、該珪素膜の結晶化度を0.1〜99.9%とする第2の工程と、該工程にひき続いて紫外線レーザー光を照射する第3の工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭61-078120
特開平4-076912
特開平3-022540

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