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J-GLOBAL ID：200903042045571092

水素ガスセンサ

Inventor： 河田 泰之
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993292656
Publication number (International publication number)：1995128268
Application date： Oct. 28, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】水素ガスに選択的なガスセンサを得る。【構成】基板上の一の主面には、感ガス層、触媒層と、酸化燃焼層を順次積層し、他の主面にはヒータを形成する。感ガス層はスパッタで調製されたn型金属酸化物半導体の薄膜であり、触媒層は貴金属の超薄膜であり、酸化燃焼層は貴金属を担持したn型金属酸化物半導体の厚膜である。

Claim (excerpt)：

基板上に電極と感ガス層と触媒層と酸化燃焼層とヒータとを有し、基板の第一の主面は、対をなす電極と、この電極と基板上に選択的に形成された感ガス層と、感ガス層上に積層された触媒層と、触媒層上に積層された酸化燃焼層を備え、基板の第二の主面は、対をなす電極と、この電極と基板上に選択的に形成されたヒータを備え、感ガス層はスパッタで調製されたn型金属酸化物半導体の薄膜であり、触媒層は貴金属の超薄膜であり、酸化燃焼層は貴金属を担持したn型金属酸化物半導体の厚膜であることを特徴とする水素ガスセンサ。