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J-GLOBAL ID：200903042056868925

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

Inventor： 福田 光弘 ,  大久保 公彦 ,  北 弘志 ,  大福 幸司
Applicant, Patent owner： コニカ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002285348
Publication number (International publication number)：2003203684
Application date： Sep. 30, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 光電変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換材料用半導体、光電変換素子、太陽電池を提供する。【解決手段】 一般式1で示される化合物を半導体表面に含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。(X1X2X3,X4,X5,X6は各々独立に酸素原子,硫黄原子,またはセレン原子を表し,R1,R2,R3,R4,R5は各々独立に置換基を表し,R6,R7,R8,R9は各々独立に水素原子または置換基を表し,L1およびL2は各々独立に2価の連結基を表し、xとyは各々独立に0,1,または2のいずれかを表す)

Claim (excerpt)：

下記一般式1で示される化合物を半導体表面に含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】(上記一般式1において、X1、X2、X3、X4、X5、X6は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表し、R1、R2、R3、R4、R5は各々独立に置換基を表し、R4またはR5のうち少なくとも1つはカルボキシル基を表し、R6、R7、R8、R9は各々独立に水素原子または置換基を表し、L1およびL2は各々独立に2価の連結基を表し、xとyは各々独立に0、1または2のいずれかを表す。)

IPC (4)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C09B 23/00 ,  C09B 57/00

FI (6)：

H01M 14/00 P ,  C09B 23/00 L ,  C09B 23/00 M ,  C09B 57/00 D ,  C09B 57/00 Z ,  H01L 31/04 Z

F-Term (34)：

4H056CA02 ,  4H056CA05 ,  4H056CB06 ,  4H056CC02 ,  4H056CC08 ,  4H056CE01 ,  4H056CE03 ,  4H056CE06 ,  4H056CE07 ,  4H056DD19 ,  4H056DD23 ,  4H056DD28 ,  4H056DD29 ,  4H056DD30 ,  4H056EA13 ,  4H056FA05 ,  5F051AA04 ,  5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051AA20 ,  5F051BA18 ,  5F051CB13 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光増感組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-131521   Applicant：株式会社林原生物化学研究所