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J-GLOBAL ID：200903042062355573

半導体基板とその製造方法

Inventor： 小笠原 松幸 ,  中尾 正史 ,  横尾 篤 ,  玉村 敏昭 ,  益田 秀樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  益田 秀樹
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998257850
Publication number (International publication number)：2000091555
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の表面に圧痕により直接微細な凹凸よりなる織り目状パターンを有する長期保存可能な半導体基板を提供する。および従来の変質しやすいレジストパターンを用いることなく、微細な凹凸よりなるパターンを転写できるモールドを用いて半導体基板に微細な凹凸パターンを形成することにより、工程の簡略化とスループットの向上をはかる。【解決手段】半導体基板の表面に押し付けて微細な凹凸よりなるパターンを転写し得るモールドを作製する工程と、このモールドを半導体基板の表面に押し付けることにより、半導体基板の表面に微細な凹凸よりなる圧痕のパターンを転写する工程を少なくとも含む半導体基板の製造方法とする。また、圧痕のパターンを転写した後、エッチング工程、半導体をエピタキシャル成長する工程、あるいは陽極化成処理する工程を含む半導体基板の製造方法とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に、直接圧痕によって形成された微細な凹凸よりなるパターンを有することを特徴とする半導体基板。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-327189   Applicant：富士通株式会社