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J-GLOBAL ID：200903042063214027

バイアススパツタリング法

Inventor： 内山 朋幸
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991183572
Publication number (International publication number)：1993009720
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スパッタ速度とエッチング速度を容易に制御することができるバイアススパッタリング法を提供することを目的とする。【構成】 ガス導入管14に2つの導入管14a,14bを設ける。導入管14aはアルゴン(Ar)ガスを、導入管14bはキセノン(Xe)ガスを導入する。バルブ16a,16bを開けてアルゴンガスとキセノンガスを所定の体積比で混合し、この混合ガスをスタックチャンバー12内に送り込む。混合ガスを電離してグロー放電を発生させて、スパッタリングを起こす。

Claim (excerpt)：

真空室内で放電しイオンをターゲットに衝突させて該ターゲットを構成する粒子を基板に堆積すると共に、前記基板にバイアス電圧を加えることにより前記薄膜をエッチングするバイアススパッタリング法において、前記真空室内に複数種類の希ガスを導入して前記放電を行うことを特徴とするバイアススパッタリング法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205