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J-GLOBAL ID：200903042064897063

高密度電子パッケージ

Inventor： ロバート・エル・ディ・ゼナー ,  ジョエル・エイ・ガーバー ,  ケビン・ユ・チェン
Applicant, Patent owner： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000584531
Publication number (International publication number)：2002530892
Application date： Oct. 21, 1999
Publication date： Sep. 17, 2002
Summary：

【要約】本発明は、厚さ約100μm未満の薄型電子デバイスと、可撓性の回路基板と、電子デバイスと回路基板との間の厚さ約25μm未満の接着剤層と、を含む極薄の回路パッケージである。回路パッケージは、厚さ約275μm未満である。他の実施形態において、回路パッケージを互いに積み重ねて一緒にラミネートし、超高密度の3次元電子回路パッケージを作製することもできる。

Claim (excerpt)：

厚さ約100μm未満の半導体デバイスと、 表面に導電回路を備えた可撓性の回路基板と、 前記電子デバイスと前記回路基板との間の厚さ約25μm未満の接着剤層と、を含み、前記半導体デバイスが前記基板の回路に電気的に接続されている、厚さが275μm未満で組立後も可撓性を保持する回路パッケージ。

IPC (6)：

H01L 25/065 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18

FI (3)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 25/14 Z