Pat

J-GLOBAL ID：200903042068857937

集積型容量性変換器及びその製造方法

Inventor： 河村 孝夫 ,  大林 義昭 ,  安田 護
Applicant, Patent owner： ホシデン株式会社
Agent (1)： 大西 孝治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997255947
Publication number (International publication number)：1999088992
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【目的】 携帯電話等に適した超小型のエレクトレットコンデンサマイクロホンを提供する。【構成】 マイクロホン素子10をセラミックパッケージ20内に組み込む。マイクロホン素子10は、インピーダンス変換用のFET、アンプ回路、ノイズキャンセル回路等を積層した半導体チップ11の表面に、背極としての導電膜12、エレクトレット膜13、スペーサ14及び振動膜15を順に積層した構造になっている。エレクトレット膜13は、蒸着等の成膜方法により形成した厚みが2μm程度の薄膜である。

Claim (excerpt)：

IC素子を含む電子回路を集積させた半導体チップと、半導体チップの表面に背極として形成された導電膜と、導電膜の表面に直接成膜により形成されたエレクトレット膜と、エレクトレット膜の外縁部表面に印刷により形成されたスペーサと、スペーサの表面に貼り付けられることによりエレクトレット膜の前面側に空間を介して固定された振動膜とを具備することを特徴とする集積型容量性変換器。

IPC (2)：

H04R 19/04 ,  H04R 31/00

FI (2)：

H04R 19/04 ,  H04R 31/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-148500
  
• 特開昭54-118283