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J-GLOBAL ID：200903042074575277

構造体の製造方法

Inventor： 中村 高士 ,  市原 滋 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005090047
Publication number (International publication number)：2006265717
Application date： Mar. 25, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】 低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができるナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に設けられた細孔22内へめっき法により金属を充填するナノ構造体の製造方法において、少なくともめっき用の金属イオンを含み還元剤を含まない溶液I(27)および少なくとも還元剤を含みめっき用の金属イオンを含まない溶液II(26)を用意する工程、該溶液I(27)を基板の細孔内に充填する工程、溶液Iを充填した基板を溶液II(26)に浸漬し、溶液Iの金属イオンと溶液IIの還元剤による無電解めっきにより細孔内に金属28を析出する工程を有するナノ構造体の製造方法。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた細孔内へめっき法により金属を充填する構造体の製造方法において、少なくともめっき用の金属イオンを含み還元剤を含まない溶液Iおよび少なくとも還元剤を含みめっき用の金属イオンを含まない溶液IIを用意する工程、該溶液Iを該基板の該細孔内に充填する工程、該溶液Iを充填した該基板を該溶液IIに浸漬し、該溶液Iのめっき用の金属イオンと該溶液IIの還元剤との無電解めっきにより該細孔内に金属を析出する工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。

IPC (3)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/18 ,  C25D 5/02

FI (3)：

C23C18/31 Z ,  C23C18/18 ,  C25D5/02 Z

F-Term (33)：

4K022AA05 ,  4K022AA37 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA09 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA21 ,  4K022BA25 ,  4K022CA06 ,  4K022CA12 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  4K022DB04 ,  4K022DB05 ,  4K022EA02 ,  4K022EA03 ,  4K024AA03 ,  4K024AA04 ,  4K024AA05 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024BA11 ,  4K024BB14 ,  4K024BC07 ,  4K024CB11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開平02-254192号公報