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J-GLOBAL ID：200903042103657458
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
牛久 健司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996189927
Publication number (International publication number)：1998022523
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：
【要約】【目的】 光出力が大きい半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs半導体基板11の上面にn-GaAs成長層12をエピタキシャル成長させる。このn-GaAs成長層12の上面にエッチングで凸条と凹溝を交互に形成する。凹凸が形成されたn-GaAs成長層12の上面にp-GaAs層13およびp-AlGaAs層14を順次エピタキシャル成長させる。p-AlGaAs層14内にn型イオンを注入してn型反転層15を形成する。p-AlGaAs層14のn型反転層15が形成されていない部分が電流通路領域17となる。p-AlGaAs層14の上面にp側電極16を,n-GaAs半導体基板11の下面にn側電極10をそれぞれ形成する。
Claim (excerpt)：
pn接合を有する半導体発光素子において,上記pn接合の接合面のうち少なくとも電流通路にあたる部分に凹凸が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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