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J-GLOBAL ID：200903042104863000

高出力半導体増幅器

Inventor： 池田 幸夫 ,  中山 正敏 ,  礒田 陽次 ,  高木 直
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮園 純一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992115391
Publication number (International publication number)：1993291851
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高出力で、かつインピーダンス整合が広帯域な高出力半導体増幅器を得る。【構成】 インピーダンス変換機能を有する電力分配器10により、入力電力を複数のFET31〜3nに分配し、このFET31〜3nの出力をインピーダンス変換機能を有する電力合成器20により合成する高出力半導体増幅器において、電力分配器10を、一端がFET31〜3nの入力端子に接続される複数の分布定数線路71〜7nと、当該分布定数線路71〜7nに直列に接続され一端が当該電力分配器10の入力端子1に接続される直列抵抗61〜6nとから構成した。

Claim (excerpt)：

電力分配器の複数の出力端子にそれぞれ半導体素子の入力端子を接続し、これらの半導体素子の出力端子にそれぞれ電力合成器の複数の入力端子を接続し、電力分配器の入力端子に入力した電力を複数の半導体素子で増幅し電力合成器の出力端子に取り出す高出力半導体増幅器において、上記電力分配器を、一端が半導体素子の入力端子に接続される複数の分布定数線路と、当該分布定数線路に直列に接続され一端が当該電力分配器の入力端子に接続される抵抗とから構成したことを特徴とする高出力半導体増幅器。

IPC (4)：

H03F 3/60 ,  H03F 3/193 ,  H03F 3/21 ,  H03F 3/68