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J-GLOBAL ID：200903042109520543

SOI基板の製造方法

Inventor： 中▲吉▼ 雄一 ,  橋口 英里子
Applicant, Patent owner： 九州コマツ電子株式会社 ,  コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163403
Publication number (International publication number)：1995335846
Application date： Jun. 11, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 SOI基板の活性基板残留層を除去するエッチングで、中間酸化膜が溶解して欠陥品となるのを防止する。【構成】 支持基板半導体ウェハと、活性基板半導体ウェハを貼り合わせてSOI基板を作製する際、活性基板の周縁に生じるボイドを研磨して面取りする。面取部に残った活性基板の残留層を有機アルカリ溶液でエッチングして除去する。有機アルカリ溶液には、6員環の脂環式含窒素化合物、例えばピペラジン、N-メチルピペラジン、ピペリジン等の水溶液を用いる。有機アルカリ溶液の濃度は約6〜12重量%、処理温度は約60〜90°Cである。【効果】 有機アルカリ溶液は、活性基板(Si)を選択的に溶解し、中間酸化膜(SiO2)の溶解による欠陥品はなく、歩留まりが向上する。

Claim (excerpt)：

支持基盤として機能する半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェハを貼り合わせてSOI基板を作製するに当たり、活性基板を面取りした後、活性基板の面取り部に残った残留層を、一般式;CxHyNz(但し、 xが4または5で、yが10、11、または12で、zが1または2である)で示す有機アルカリ溶液でエッチングにより除去することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316