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J-GLOBAL ID：200903042116366797

シリカ多孔体の製造方法

Inventor： 山田 有理 ,  稲垣 伸二 ,  福嶋 喜章
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996035648
Publication number (International publication number)：1996277105
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 固体酸性を効果的に発現でき,触媒活性及び吸着力が高く,かつ結晶性及び耐熱性に優れたシリカ多孔体の製造方法を提供する。【解決手段】 まず,水ガラスに,Al等の金属元素の塩を添加し,熟成を行う。次に,上記水ガラスを焼成して,層状結晶を形成する。次に,上記層状結晶の層間に有機物を導入すると共に層間にSiO2 の層間架橋を形成させ,次いで,層状結晶から有機物を除去する。得られたシリカ多孔体は,珪素四面体SiO4の層状結晶91が複数積層し,隣接する上記層状結晶91の層間がSiO2 の層間架橋点93において縮幅し,該層間架橋点の間においては拡幅して微孔93を形成している。珪素四面体SiO4 は,四面体構造をとることができる金属元素と共に,上記層状結晶の骨格を形成している。

Claim (excerpt)：

水ガラスに,四面体構造をとることができる,珪素と異なる金属元素の塩を添加するとともに熟成を行う第1工程と,上記熟成した水ガラスを焼成して,珪素四面体SiO4 と上記金属元素を含む金属四面体とを骨格成分とする層状結晶を形成する第2工程と,上記層状結晶の層間に有機物を導入すると共に層間にSiO2 の層間架橋を形成させる第3工程と,上記層間架橋を形成した層状結晶から上記有機物を除去する第4工程とよりなることを特徴とするシリカ多孔体の製造方法。

IPC (6)：

C01B 33/12 ,  B01J 20/10 ,  B01J 29/035 ,  C01B 33/18 ,  C04B 38/04 ,  C04B 38/06

FI (6)：

C01B 33/12 Z ,  B01J 20/10 B ,  B01J 29/035 M ,  C01B 33/18 Z ,  C04B 38/04 Z ,  C04B 38/06 E