半導体素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995212987
Publication number (International publication number)：1996228000
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】電流駆動の能力を増加して処理速度を向上させ、且つGIDLを減少させる半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体素子は、ソース領域のゲート絶縁膜をドレーン領域のゲート絶縁膜より薄くした。

Claim (excerpt)：

チャンネル領域が限定された第1導電型の基板と、チャンネル領域の両側の基板内に形成された第2導電型の高濃度ソース/ドレーン領域と、ドレーン領域の上部では相対的に厚い酸化膜が形成され、そのドレーン領域の上部を除いた領域では相対的に薄い酸化膜が形成され、ドレーン領域とドレーン領域以外の領域で異なる厚さを有する絶縁膜を含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 301 S , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭62-199066
特開昭61-180485
特開昭61-180485

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