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J-GLOBAL ID:200903042140859222

波長変換素子用薄膜基板の製造方法及び波長変換素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001337313
Publication number (International publication number):2003140214
Application date: Nov. 02, 2001
Publication date: May. 14, 2003
Summary:
【要約】【課題】 波長変換素子の製造に好適な薄膜基板(例えば3インチウエハの全面積にわたって均一な組成、膜厚を持つようなニオブ酸リチウムの薄膜基板)の製造方法を提供し、また、前記薄膜基板を用いて分極反転構造を有する光導波路を作製し、もって高性能な波長変換素子を提供する。【解決手段】 二次の非線形効果を有し且つ非線形定数が周期的に変調する構造をもつ第一の基板と、第二の基板とを貼り合わせる第一の工程と、第一の基板の厚さを薄くして光導波路を形成するための所定の厚さにする第二の工程とを有する波長変換素子用薄膜基板の製造方法において、前記第一の工程では第一の基板と第二の基板とを、熱処理による拡散接合によって直接貼り合わせる。
Claim (excerpt):
二次の非線形効果を有し且つ非線形定数が周期的に変調する構造をもつ第一の基板と、第二の基板とを貼り合わせる第一の工程と、前記第一の基板の厚さを薄くして光導波路を形成するための所定の厚さにする第二の工程とを有する波長変換素子用薄膜基板の製造方法であって、前記第一の工程では前記第一の基板と前記第二の基板とを、熱処理による拡散接合によって直接貼り合わせることを特徴とする波長変換素子用薄膜基板の製造方法。
F-Term (9):
2K002AB12 ,  2K002BA03 ,  2K002CA02 ,  2K002CA03 ,  2K002EA07 ,  2K002FA27 ,  2K002FA29 ,  2K002GA04 ,  2K002HA21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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