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J-GLOBAL ID：200903042142229242

プラズマCVD法及び装置

Inventor： 中東 孝浩 ,  桐村 浩哉 ,  桑原 創
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995029234
Publication number (International publication number)：1995283153
Application date： Feb. 17, 1995
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制しながら成膜速度を向上させることができるプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】 原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を行うにあたり、原料ガスのプラズマ化を、10MHzから200MHzの範囲の所定周波数の基本高周波電力に該周波数の10分の1以下、1000分の1以上の変調周波数で第1の振幅変調を、さらに該変調周波数の100倍未満、100分の1以上の変調周波数で第2の振幅変調を施した状態の高周波電力の印加により行い、且つ、印加電力の大きさを高周波電力面密度にして0.4W/cm2 以上に設定して行う。

Claim (excerpt)：

成膜用原料ガスを電極面積1000cm2 以上の高周波電極による高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を行うプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、10MHzから200MHzの範囲の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の10分の1以下、1000分の1以上の変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力を印加することで行い、且つ、該印加電力の大きさを高周波電力面密度にして0.4W/cm2 以上となるように設定して行うことを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31