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J-GLOBAL ID：200903042148269718

半導体製造装置におけるウエーハの冷却装置

Inventor： 福山 敏彦 ,  辻 隆志 ,  小野 真徳 ,  鈴木 彰 ,  矢野 弘 ,  飯塚 勝彦
Applicant, Patent owner： アプライド・マテリアルズ・ジャパン株式会社 ,  富士通株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327780
Publication number (International publication number)：1993166818
Application date： Dec. 11, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウエーハを冷却するためにHe ガスを使用する場合において、He ガスを常温以下に冷却することによって、ウエーハの温度コントロールを容易にし、製品むらを除去する。【構成】 ウエーハと電極の間にHe ガスを送り込んでウエーハを冷却する場合に、(1)チャンバ内の電極を常温で用いるものにあっては、冷凍機によって冷却したHe ガスを送り、また(2)チャンバ内の電極を冷却するために冷媒を用いるものにあっては、図に示すように電極冷却用配管20に設けられた熱交換器21によってHe ガスを冷却し、これをウエーハ5と電極2の間に送り込むものである。

Claim (excerpt)：

ウエーハと電極の間にHe ガスを流してウエーハを冷却する装置において、ウエーハ冷却用He ガスを冷却するためのラジエータと冷凍機を設けたことを特徴とする半導体製造装置におけるウエーハの冷却装置。

IPC (5)：

H01L 21/324 ,  C23C 14/50 ,  H01L 23/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/302