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J-GLOBAL ID：200903042156248630

トランジスタの製造方法

Inventor： 中谷 喜紀
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992195639
Publication number (International publication number)：1994045593
Application date： Jul. 22, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【構成】 成膜装置内に、酸素ガスのプラズマ放電により生成されるオゾン及び酸素イオンを導入することにより、前記成膜装置内及び基板表面に存在する炭素化合物を除去する工程と、前記成膜装置内に、水素ガスの放電により生成される水素イオンとフッ素ガスとを導入することにより生成されるフッ素イオンとフッ化水素とを導入することにより、前記基板表面に形成された自然酸化膜を除去する工程とを含むトランジスタの製造方法。【効果】 オゾン又は酸素イオンにより成膜装置内及び基板表面に存在する炭素化合物は酸化され、一酸化炭素や二酸化炭素等のガスに変化するので、ガスを真空排気することにより、炭素化合物による成膜装置内の不純物汚染を低減することができる。また、フッ素イオンによるシリコン酸化膜のエッチングを行って、基板表面に形成された自然酸化膜を除去することができる。

Claim (excerpt)：

成膜装置内に、酸素ガスのプラズマ放電により生成されるオゾン及び酸素イオンを導入することにより、前記成膜装置内及び基板表面に存在する炭素化合物を除去する工程と、前記成膜装置内に、水素ガスの放電により生成される水素イオンとフッ素ガスとを導入することにより生成されるフッ素イオンとフッ化水素とを導入することにより、前記基板表面に形成された自然酸化膜を除去する工程とを含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/302